Micron apresenta memória NAND G11 com mais de 400 camadas

A Micron anunciou o desenvolvimento da memória flash 3D NAND de décima primeira geração (G11). A décima geração foi ignorada pelo fabricante. De acordo com o ComputerBase, essa prática não é rara no setor: a Kioxia e a Sandisk, por exemplo, passaram diretamente do BiCS6 para o BiCS8.

Especialistas avaliam que a decisão da Micron de pular a geração G10 indica uma mudança substancial nas características do produto. O parâmetro principal continua sendo o número de camadas. A geração anterior, G9, possui 276, enquanto a nova G11 terá mais de 400, ou seja, pelo menos 45 por cento a mais.

Segundo o fabricante, o aumento de camadas, somado a um novo processo tecnológico e a melhorias na arquitetura, permitirá aproximadamente dobrar a densidade de gravação. O ComputerBase estima a densidade da G11 3D TLC em 42 Gbit/mm², contra 21 Gbit/mm² da G9 3D TLC.

A velocidade da interface também aumentará de forma notável: a Micron informa um ganho de até 50 por cento em relação à G9. Como esta alcança 3,6 Gbit/s, a nova memória deve chegar a cerca de 5,4 Gbit/s. Para comparação, o ComputerBase calcula a velocidade do BiCS10 em 4,8 Gbit/s, e a Samsung promete 5,6 Gbit/s para a sua geração V10. Além disso, a Micron pretende reduzir o consumo de energia em cerca de 25 por cento.

A G11 utilizará a tecnologia de união de wafers (wafer-on-wafer bonding). Nessa abordagem, a matriz de células de memória e a lógica de entrada e saída são fabricadas em wafers separados e depois unidas. A YMTC foi a primeira a adotar o método, seguida pela Kioxia e pela Sandisk e, por fim, pela Samsung.

A produção em série da memória G11 está prevista para o segundo semestre de 2027. As informações sobre o custo dos chips ainda não foram divulgadas, mas, devido à escassez persistente, os preços provavelmente serão muito altos.