Micron dévoile la mémoire NAND G11 de plus de 400 couches

Micron a annoncé le développement de la mémoire flash 3D NAND de onzième génération (G11). Le fabricant a ignoré la dixième génération. Selon ComputerBase, cette pratique n’est pas rare dans le secteur : Kioxia et Sandisk, par exemple, sont passées directement de BiCS6 à BiCS8.

Les experts estiment que l’abandon de la génération G10 par Micron témoigne d’une évolution notable des caractéristiques du produit. Le paramètre essentiel reste le nombre de couches. La génération précédente, G9, en compte 276, tandis que la nouvelle G11 en comptera plus de 400, soit au moins 45 pour cent de plus.

D’après le fabricant, l’augmentation du nombre de couches, associée à un nouveau procédé de fabrication et à des améliorations architecturales, permettra de doubler approximativement la densité d’enregistrement. ComputerBase évalue la densité de la G11 3D TLC à 42 Gbit/mm², contre 21 Gbit/mm² pour la G9 3D TLC.

La vitesse de l’interface progressera elle aussi nettement : Micron annonce un gain pouvant atteindre 50 pour cent par rapport à la G9. Comme celle-ci atteint 3,6 Gbit/s, la nouvelle mémoire devrait approcher 5,4 Gbit/s. À titre de comparaison, ComputerBase situe la vitesse de BiCS10 à 4,8 Gbit/s, et Samsung promet 5,6 Gbit/s pour sa génération V10. Par ailleurs, Micron prévoit de réduire la consommation d’énergie d’environ 25 pour cent.

La G11 utilisera la technologie d’assemblage de plaquettes (wafer-on-wafer bonding). Dans cette approche, le réseau de cellules mémoire et la logique d’entrée-sortie sont fabriqués sur des plaquettes distinctes, puis réunis. YMTC a été la première à adopter cette méthode, suivie de Kioxia et Sandisk, puis de Samsung.

La production en série de la mémoire G11 est prévue pour le second semestre 2027. Les informations sur le coût des puces ne sont pas encore communiquées, mais, compte tenu de la pénurie persistante, les prix seront probablement très élevés.