마이크론, 400단 이상 G11 낸드 플래시 메모리 공개

마이크론은 11세대 3D 낸드 플래시 메모리인 G11의 개발을 발표했다. 제조사는 10세대를 건너뛰었다. ComputerBase에 따르면 이러한 세대 번호 건너뛰기는 업계에서 드문 일이 아니다. 예를 들어 키옥시아와 샌디스크는 BiCS6에서 BiCS8로 곧바로 넘어갔다.

전문가들은 마이크론이 G10을 건너뛴 것이 제품 사양의 큰 변화를 의미한다고 본다. 핵심 지표는 적층 수다. 이전 세대인 G9는 276단이지만 새로운 G11은 400단을 넘어, 최소 45퍼센트 늘어난다.

제조사에 따르면 적층 수 증가와 새로운 공정 기술, 아키텍처 개선이 더해져 기록 밀도가 약 2배로 높아질 전망이다. ComputerBase는 G11 3D TLC의 밀도를 42 Gbit/mm²로 추정하며, 이는 G9 3D TLC의 21 Gbit/mm²와 비교된다.

인터페이스 속도도 크게 향상된다. 마이크론은 G9 대비 최대 50퍼센트 향상을 제시했다. G9가 3.6 Gbit/s이므로 새 메모리는 약 5.4 Gbit/s에 이를 것으로 보인다. 비교를 위해 ComputerBase는 BiCS10의 속도를 4.8 Gbit/s로 평가하고 있으며, 삼성전자는 자사 V10 세대에서 5.6 Gbit/s를 제시했다. 또한 마이크론은 전력 소비를 약 25퍼센트 줄일 계획이다.

G11에는 웨이퍼 접합 기술(wafer-on-wafer bonding)이 적용된다. 이 방식에서는 메모리 셀 어레이와 입출력 로직을 서로 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 접합한다. 이 방법을 처음 도입한 곳은 YMTC이며, 이후 키옥시아와 샌디스크, 그리고 삼성전자가 뒤따랐다.

G11 메모리의 양산은 2027년 하반기로 예정되어 있다. 칩 가격에 관한 정보는 아직 공개되지 않았으나, 공급 부족이 이어지고 있는 만큼 가격은 매우 높을 것으로 예상된다.