Micron stellt NAND-Speicher G11 mit über 400 Lagen vor

Micron hat die Entwicklung des Flash-Speichers 3D NAND der elften Generation (G11) bekannt gegeben. Die zehnte Generation hat der Hersteller übersprungen. Laut ComputerBase ist eine solche Vorgehensweise in der Branche nicht ungewöhnlich: So wechselten Kioxia und Sandisk direkt von BiCS6 zu BiCS8.

Fachleute gehen davon aus, dass der Verzicht von Micron auf die Generation G10 auf wesentliche Änderungen der Produkteigenschaften hindeutet. Der wichtigste Parameter bleibt die Anzahl der Lagen. Die Vorgängergeneration G9 verfügt über 276 Lagen, die neue G11 soll mehr als 400 erhalten, also mindestens 45 Prozent mehr.

Nach Angaben des Herstellers ermöglichen die höhere Lagenzahl, ein neues Fertigungsverfahren und architektonische Verbesserungen eine etwa doppelt so hohe Speicherdichte. ComputerBase schätzt die Dichte von G11 3D TLC auf 42 Gbit/mm², während sie bei G9 3D TLC 21 Gbit/mm² beträgt.

Auch die Schnittstellengeschwindigkeit steigt deutlich: Micron nennt eine Steigerung von bis zu 50 Prozent gegenüber G9. Da G9 auf 3,6 Gbit/s kommt, sollte der neue Speicher rund 5,4 Gbit/s erreichen. Zum Vergleich: ComputerBase beziffert die Geschwindigkeit von BiCS10 auf 4,8 Gbit/s, und Samsung stellt für seine Generation V10 5,6 Gbit/s in Aussicht. Zudem will Micron den Energieverbrauch um etwa 25 Prozent senken.

Bei G11 kommt die Wafer-Bonding-Technologie (wafer-on-wafer bonding) zum Einsatz. Dabei werden das Speicherzellenfeld und die Ein- und Ausgabelogik auf getrennten Wafern gefertigt und anschließend miteinander verbunden. Als Erste setzte YMTC dieses Verfahren ein, später folgten Kioxia und Sandisk und schließlich Samsung.

Die Serienfertigung des G11-Speichers ist für das zweite Halbjahr 2027 geplant. Angaben zu den Kosten der Chips liegen noch nicht vor, doch angesichts der anhaltenden Knappheit dürften die Preise sehr hoch ausfallen.