Micron presenta la memoria NAND G11 con oltre 400 strati

Micron ha annunciato lo sviluppo della memoria flash 3D NAND di undicesima generazione, denominata G11. La decima generazione è stata saltata dal produttore. Secondo la testata ComputerBase, una pratica simile non è rara nel settore: ad esempio, Kioxia e Sandisk sono passate direttamente da BiCS6 a BiCS8.

Gli esperti ritengono che la scelta di Micron di non utilizzare la generazione G10 indichi un cambiamento sostanziale delle caratteristiche del prodotto. Il parametro chiave resta il numero di strati. La generazione precedente G9 ne conta 276, mentre la nuova G11 ne avrà più di 400, ossia almeno il 45 per cento in più.

Secondo il produttore, l’aumento degli strati, insieme a un nuovo processo tecnologico e a miglioramenti architetturali, permetterà di raddoppiare approssimativamente la densità di registrazione. ComputerBase stima la densità della G11 3D TLC in 42 Gbit/mm², contro i 21 Gbit/mm² della G9 3D TLC.

Crescerà in modo evidente anche la velocità dell’interfaccia: Micron indica un aumento fino al 50 per cento rispetto alla G9. Poiché quest’ultima raggiunge 3,6 Gbit/s, la nuova memoria dovrebbe arrivare a circa 5,4 Gbit/s. Per confronto, ComputerBase valuta la velocità di BiCS10 in 4,8 Gbit/s, mentre Samsung promette 5,6 Gbit/s per la generazione V10. Inoltre, Micron prevede di ridurre il consumo energetico di circa il 25 per cento.

Nella G11 verrà impiegata la tecnologia di unione dei wafer (wafer-on-wafer bonding). Con questo approccio la matrice delle celle di memoria e la logica di ingresso e uscita vengono realizzate su wafer distinti e poi collegate. Il metodo è stato adottato per primo da YMTC, in seguito da Kioxia e Sandisk e infine da Samsung.

La produzione in serie della memoria G11 è prevista per la seconda metà del 2027. I dati sul costo dei chip non sono ancora stati resi noti, ma, a causa della persistente carenza, i prezzi saranno probabilmente molto elevati.