YMTC prepara la produzione di massa di LPDDR5X a 9600 MT/s
Il produttore cinese YMTC, finora noto soprattutto per lo sviluppo di memorie flash NAND, intende aumentare la produzione di memoria operativa di standard LPDDR5X. Secondo i dati della società di analisi Counterpoint Research, la velocità di trasferimento dei dati nei nuovi chip raggiungerà i 9600 MT/s.
Attualmente l’azienda realizza la memoria in piccoli lotti. Dall’ottobre 2025 nello stabilimento Fab 2 vengono lavorati ogni mese circa 5000 wafer di silicio DRAM. Su di essi sono ricavati chip LPDDR5X da 16 Gbit con velocità fino a 7500 MT/s.
La fase successiva sarà il passaggio alla produzione in serie di soluzioni più veloci nello stabilimento Fab 3. A tal fine la società utilizza la tecnologia VCT (Vertical Channel Transistor) e l’architettura 4F², che consente di disporre le celle di memoria sul die in modo più compatto.
Gli analisti indicano come importante vantaggio competitivo di YMTC le competenze nell’integrazione tridimensionale. La tecnologia Xtacking 4.0 prevede la realizzazione delle celle di memoria e dei circuiti logici periferici su wafer distinti, uniti poi con il metodo del hybrid bonding. Questo approccio permette un uso più razionale dell’area del die e in futuro potrebbe agevolare la creazione di DRAM tridimensionale.
L’architettura 4F² consente una disposizione più fitta delle celle rispetto allo schema tradizionale 6F². Nel frattempo la statunitense Micron non prevede di passare al 4F² e continuerà a sviluppare il 6F² fino alla comparsa di soluzioni pronte basate sulla memoria tridimensionale. YMTC e un altro produttore cinese, CXMT, hanno scelto la strategia opposta e puntano su una configurazione più compatta.
Nonostante l’accesso limitato ad apparecchiature litografiche avanzate, i produttori cinesi contano di ottenere progressi tecnologici grazie a nuove strutture delle celle e a metodi di integrazione innovativi. Si prevede che la padronanza della produzione di LPDDR5X fornirà a YMTC l’esperienza necessaria per i futuri lavori sulla memoria tridimensionale.
